¿Qué pasará si para un transistor BJT, su terminal emisor se trata como colector y el colector como emisor en un común? ¿Circuito amplificador emisor?
Respuesta
Respuesta corta
Funcionará pero tendrá un \ $ \ beta \ $ (beta)
¿Por qué?
El BJT está formado por dos uniones pn (ya sea npn o pnp), por lo que a primera vista es simétrico. Pero tanto la concentración de dopante como el tamaño de las regiones (y más importante : el área de las uniones) es diferente para las tres regiones. Así que simplemente no funcionará en todo su potencial (como usar una palanca invertida)
Wiki sobre BJT : mira especialmente la sección Structure y el reverse-active modo de funcionamiento
La falta de La simetría se debe principalmente a las relaciones de dopaje del emisor y el colector. El emisor está muy dopado, mientras que el colector está ligeramente dopado, lo que permite aplicar una gran tensión de polarización inversa antes de que se rompa la unión colector-base. La unión tiene polarización inversa en el funcionamiento normal. La razón el emisor está muy dopado es para aumentar la eficiencia de inyección del emisor : la relación de portadores inyectados por el emisor a los inyectados por la base. Para una alta ganancia de corriente, la mayoría de los portadores inyectados en la unión emisor-base deben provenir del emisor .
Otra nota : los BJT clásicos se crean apilando las tres regiones en de forma lineal (ver imagen a la izquierda), pero los bipolares modernos, realizados en tecnología de superficie (MOS), tendrán también una forma diferente para colector y emisor (a la derecha):
A la izquierda un BJT tradicional, a la derecha un BJT en tecnología MOS (también llamado Bi-CMOS cuando ambos transistores se usan en el mismo dado)
Por lo que el comportamiento se verá aún más afectado.
Comentarios
- ADVERTENCIA: la mayoría de los transistores se especifican con una ruptura inversa Vbe de solo unos pocos voltios. Entonces, para un NPN, si baja la base debajo del emisor en 5 o 6 voltios, puede dañar la pieza. Acabo de comprobar algunos transistores para Vbe reverse breakdown abs max: 2N3904, 2N4401, > 6V. BC548, 2N5087, 2N4403, bc807 – > 5V. Pero algunos transistores de RF son más bajos: MMBT918 es de 3 V máx., MPS5179 es de 2,5 V máx.
Respuesta
¿Qué Clabacchio se perdió en su respuesta y es que el modo inverso de los BJT puede ser útil en algunos esquemas.
En este modo, los BJT tienen un voltaje de saturación muy bajo. Varios mV es un valor común.
Este comportamiento se ha utilizado en el pasado para construir interruptores analógicos, bombas de carga y similares, donde el voltaje de saturación determina la precisión del dispositivo.
Ahora se utilizan MOSFETS en tales aplicaciones .
Si alguien quiere hacer experimentos, tenga en cuenta que no todos los BJT pueden funcionar en modo inverso. Pruebe diferentes tipos, midiendo h21e.
Pero si el modelo es adecuado, h21e puede ser mayor que 5..10, lo cual es un valor bastante bueno. Para poner el BJT en saturación, Ic / Ib debe ser 2..3;