Vtpが0未満のPMOSでVgをVtp未満にすると、ソースからドレインに電流が流れますが、VgをVtpより大きくすると、カットオフになります。
しかし、デジタル回路では、「制御電圧、ゲートのVCはゼロであるため、入力端子（ソース）または出力端子（ドレイン）のいずれかに対してより負になり、トランジスタは「オン」になり、飽和領域で閉じたスイッチとして機能します。入力電圧、VINは正であり、VC電流よりも大きい電流がソース端子からドレイン端子に流れます。つまり、IDがドレインから流れ出て、VINをVOUTに接続します。」
つまり、Vgを与えるということです。ゼロでしょ？ 。 VgがゼロまたはVtpよりも低い場合、PMOSがクローズスイッチのように動作することを混乱させますか??
コメント
- 表示されている画像にはソースとドレインがありますラベルが交換されました。
回答
ゲート電圧はソースを基準にしています。したがって、Vgsがしきい値電圧*未満の場合、大量の電流がソースからドレインに流れる可能性があります（多くの場合、しきい値は250uAのようなものとして指定されます）。
Vgがゼロの例では、Vgsは-Vinです。したがって、たとえば、Vinが+ 5Vの場合、Vgsは-5Vであり、Rds（ロジックレベルMOSFETを想定）は非常に低くなる可能性があります。
*大きさは大きいが、符号は負
例データシート：
したがって、Vinが+ 5Vの場合、Rgs（on）はVg = 0の場合は60m未満
オフの場合（Vg = + 5V）、漏れは次のように保証されます。 25°Cで-1uA未満。
回答
「アース」（または下部の負の電源レール）と比較したVg電圧は、ゼロですが、ソースピンと比較すると、実際には負の数ボルト（Vgs = -xボルト）であり、ゲートピンが負の数ボルト（通常は約-3V〜-）の場合、PチャネルMOSFETが導通またはオンになります。 10V）。
本文ではゲートの「電圧」（ここでの正しい用語は「電位」）について言及していますが、MOSFETのソースではなく、グランド（または負の電源レール）を基準にしています。電極、そしてそれはすべての混乱が生じているところです。
それは本当にあなたのせいではなく、それを説明している人のせいです。その回路図と関連するテキスト/説明の作成者が自分でそれをよく理解していない可能性があります。
PMOSの回路図記号が反転しています。矢印はに接続されているはずです。ソース側（左側）。
スイッチング動作を理解するための例としてNMOSトランジスタを使用すると役立ちます。
ご存知かもしれませんが、NMOS（NチャネルMOSFET）のゲートピンがトランジスタはソースピン（Vgsまたはゲート-ソース電圧とも呼ばれます）と比較して正であり、トランジスタは導通を開始します（電流はドレインピンからソースピンに流れ始めます）。
通常、数ボルトが必要です。 VgsがMOSFETをオンにする場合、ほとんどの場合、ロジックレベルMOSFETの場合は約10Vと5V、特殊なタイプの場合はさらに低くなりますが、ほとんどのMOSFETゲートに損傷を与えるため、通常は20Vを超えることはありません。
ゲート間の電圧を下げるとソースをゼロ（Vgs = 0V）にすると、トランジスタは導通せず、オフになります。
これで、ポーラを反転するだけです。 PチャネルMOSFETがどのように機能するかを理解できます。
消化して理解するのに数回かかる場合でも心配しないでください。たとえそれらがあったとしても、頭を包むのは必ずしも簡単ではありません。それらを理解すれば、単純に見えます。
コメント
- 逆極性ダイオードの場合にのみ、右側にソースが配置されます。 OPでは、ソースが右側にあるロードスイッチとして描画されています。 OPがどちらについて質問しているのか不明です。
- @DKNguyen：回路図の文字S記号と質問で引用されているテキストの両方が、これがPチャネルMOSFETであり、ピンソースが左。また、PチャネルMOSFETの機能と、それらがプラス側のスイッチとして使用されていることを知っている場合は、MOSFETの記号が水平方向に反転していることがわかります。
- ああ、何が得られているかわかります。 。ターミナルラベルは、シンボル自体に関連して誤ったラベルが付けられています。
- @DKNguyen：はい。実際には、ラベルは回路に関して正しい側にありますが、シンボルは水平方向に反転しているため、ラベルはMOSFETの反対側にあります。