실험에서 저는 MCU 출력을위한 스위치 (LED 등을 켜고 끄는 용도)로 BJT 만 사용했습니다. 그러나 N- 채널 향상 모드 MOSFET이 스위치에 더 적합하다고 반복해서 들었습니다 ( 여기 및 here ),하지만 이유를 잘 모르겠습니다. MOSFET이 게이트에서 전류를 낭비하지 않는다는 것을 알고 있습니다. BJT의베이스가있는 곳에서는 이것이 문제가되지 않습니다. 나, 내가 배터리로 작동하지 않기 때문이다. MOSFET은 또한 게이트와 직렬로 연결된 저항이 필요하지 않지만 일반적으로 MCU가 재부팅 될 때 게이트가 플로팅되지 않도록 풀다운 저항이 필요합니다 (맞습니까?). 부품 수의 감소는 없습니다.
저렴한 BJT가 할 수있는 전류 (예 : 2N2222의 경우 ~ 600-800mA)를 전환 할 수있는 로직 레벨 MOSFET의 과잉은 많지 않은 것 같습니다. ), 존재하는 것 (예 : TN0702)은 찾기 어렵고 훨씬 더 비쌉니다.
MOSFET가 BJT보다 언제 더 적절합니까? MOSFET을 사용하십니까?
설명
- 배터리 제한이 ‘ 전력을 절약하는 유일한 이유는 아닙니다. 열 방출에 대해? 작동 비용은 어떻습니까? 제품 수명 (열에 의해 제한 될 수 있음)은 어떻습니까?
- MOSFET가 아직 새로운 장치 였을 때 수십 년 동안 MOSFET 제조업체가 부품이 실제로 작동하고 있음을 보여주기 위해 ‘ 실제 성과를 달성했다고 지적했습니다. ‘ VN10KM, 그게 특별히 des 현재 유서 깊은 2N2222가 차지하고있는 일반적인 생태적 틈새 시장에 맞출 예정입니다.
답변
BJT는 MCU에서 저전력 LED 및 유사한 장치를 구동하는 데 MOSFET보다 훨씬 더 적합합니다. MOSFET은 BJT보다 빠르게 스위칭 할 수 있기 때문에 고전력 애플리케이션에 더 적합하며 스위치 모드 공급 장치에서 더 작은 인덕터를 사용하여 효율성을 높일 수 있습니다.
댓글
- BJT가 LED 구동에 ‘ 훨씬 더 적합하게 ‘ 정확히 무엇입니까? MOSFET 스위치를 사용하는 수많은 LED 드라이버가 있습니다.
- 빠른 스위칭이 ‘ 반드시 고전력 애플리케이션과 관련이있는 것은 아닙니다. 달링턴 쌍 (BJT) 등을 사용하여 고전력을 전환 할 수 있습니다. 당신은 ‘ 답변이 ‘ 문제의 핵심에 도달하지 않습니다.
- @Mark : BJT ‘의 주요 한계는 가능한 최대 컬렉터 전류에 비례하는 기본 전류가 필요하다는 것입니다. 최대 전류가 예상 전류 (예 : 모터)보다 훨씬 큰 것을 제어 할 때 이는 매우 낭비적일 수 있습니다. 그러나 LED를 구동 할 때 전류는 꽤 잘 예측 될 수 있습니다. 기지에서 하나의 ‘ 전력의 2.5 %를 낭비하는 것은 ‘ 큰 거래가 아닙니다.
- @supercat 어떻게 이것이 ” 훨씬 더 적합하게 “? 2.5 %는 많은 애플리케이션에서 큰 거래입니다.
- @Mark : 일부 애플리케이션에서는 2.5 %가 큰 문제 일 수 있지만 많은 애플리케이션에서 LED가 소비하는 10mA에 대해 훨씬 더 걱정할 것입니다. 그것을 제어하는 트랜지스터의 바닥에서 소비되는 250uA. 나도 ‘ ” 많이 “라는 용어를 더 적합하게 사용하지는 않았지만 BJT ‘는 종종 MOSFET보다 약간 저렴하며 그 자체로도 ” 더 적합합니다 “, 나머지는 모두 동일합니다. 또한 일부 애플리케이션에서는 정전류 회로를 위해 MOSFET보다 BJT ‘를 배선하는 것이 더 쉬울 수 있습니다.
답변
BJT는 부하가 무엇을 끌어들이는지 여부에 관계없이 스위치를 켤 때마다 약간의 전류를 낭비합니다. 배터리로 구동되는 장치에서 BJT를 사용하여 부하가 매우 다양하지만 종종 낮은 부하에 전력을 공급하면 많은 에너지를 낭비하게됩니다. BJT를 사용하여 예측 가능한 전류 소모량으로 무언가에 전력을 공급하는 경우 (예 : LED)이 문제는 “그렇게 나쁘지 않습니다.베이스 이미 터 전류를 LED 전류의 작은 부분으로 설정하기 만하면됩니다.
답변
좋은 N 채널 MOSFET은 \ $ R_ {ds (on)} \ $ (드레인- 소스 등가 저항)이 적절하게 바이어스되면 실제 스위치와 매우 유사하게 작동한다는 의미입니다. MOSFET을 켤 때 전압이 \ $ V_ {ce (sat)} \ $보다 낮다는 것을 알 수 있습니다. BJT의 (컬렉터-이미 터 포화 전압).
2N2222는 바이어스 전류에 따라 \ $ 0.4V-1V \ $에서 \ $ V_ {ce (sat)} \ $를 갖습니다.
VN2222 MOSFET의 최대 값은 \ $입니다. R_ {ds (on)} \ $ of \ $ 1.25 \ Omega \ $.
VN2222가 드레인 소스에서 훨씬 더 적게 소모된다는 것을 알 수 있습니다.
또한, 앞에서 설명한대로 MOSFET은 트랜스 컨덕턴스 장치입니다. 게이트의 전압은 장치를 통해 전류를 허용합니다. 게이트는 소스에 대한 높은 임피던스이므로 디바이스를 바이어스하기 위해 일정한 게이트 전류가 필요하지 않습니다. 게이트를 충전하기 위해 고유 한 정전 용량 만 극복하면 게이트 소비가 최소화됩니다.
댓글
- 3.3v MCU에서 VN2222를 구동하기는 어려우며 ‘ 정확하게 사용할 수 없습니다.
- \ $ R_ {DS (ON)} \ $는 VN2222의 경우 1.25가 아니라 \ $ 7.5 \ Omega \ $입니다. \ $ 1.25 \ Omega \ $조차도 ‘ 대단하지는 않지만 \ $ R_ {DS (ON)} \ $가 \ $ 100m \ Omega보다 적은 수십 개의 논리 FET를 찾을 수 있습니다. \ $
- @Mark-Supertex는 Fairchild 또는 NXP가 아닐 수 있지만 VN2222는 DigiKey 및 Mouser에서 쉽게 구할 수 있습니다.
답변
BJT는 종종 더 저렴하기 때문에 어떤 상황에서는 더 적합합니다. 각각 0.8p에 TO92 BJT를 구입할 수 있지만 MOSFET은 각각 2p가 될 때까지 시작하지 않습니다. -별로 들리지 않을 수도 있지만 “이러한 제품이 많은 비용에 민감한 제품을 다루고 있다면 큰 차이를 만들 수 있습니다.
답변
MOSFET가 BJT보다 스위치로 더 적합한 때는 언제입니까?
답변 : 1) MOSFET은 BJT보다 더 좋습니다 .
- 정말 낮은 전력이 필요할 때
- MOSFET는 전압으로 제어됩니다. e 그들의 게이트는 이제 더 이상 전류가 흐르지 않고 그대로 유지됩니다. 반면에 BJT 트랜지스터는 전류로 제어되므로 계속 유지하려면베이스-이미 터 채널을 통해 전류를 소싱 (NPN의 경우) 또는 싱크 (PNP의 경우) 유지해야합니다. 따라서 MOSFET은 특히 정상 상태 (예 : 항상 켜짐) 시나리오에서 많은 더 적은 전력을 소비 할 수 있기 때문에 저전력 애플리케이션에 이상적으로 적합합니다.
- 전환 주파수가 너무 높지 않은 경우.
- MOSFET는 빠르게 전환할수록 효율성 향상을 잃기 시작합니다. 이유는 다음과 같습니다.
- 게이트 커패시턴스를 반복적으로 충전 및 방전하면 아주 작은 배터리를 반복적으로 충전하고 방전하는 것과 같이 전력과 전류가 필요합니다. 특히 아주 작은 충전을 GND로 방전 할 가능성이 높기 때문에 복구하는 대신 그냥 버리고 열로 변환합니다.
- 높은 게이트 커패시턴스는 다소 큰 (예 : TO-220 크기 부품의 경우 최대 수백 mA) 순간 입력 및 출력 전류를 포함 할 수 있으며 전력 손실은 정사각형 에 비례합니다. 현재 (
- MOSFET는 빠르게 전환할수록 효율성 향상을 잃기 시작합니다. 이유는 다음과 같습니다.
). 즉, 전류를 두 배 할 때마다 전력 손실과 부품의 열 생성이 4 배 됩니다. 고속 스위칭을 사용하는 MOSFET의 높은 게이트 커패시턴스는 BJT에 대한 낮은 구동 전류 (예 : 50mA)와 달리 MOSFET에 대한 큰 게이트 드라이버와 매우 높은 구동 전류 (예 : +/- 500mA)가 있어야 함을 의미합니다. 따라서 스위칭 주파수가 빠르다는 것은 BJT의베이스를 구동하는 것과 달리 MOSFET의 게이트 구동에서 더 많은 손실을 의미합니다.
R_DS
(드레인에서 소스까지의 저항)가 높으므로 손실 및 열 생성도 높습니다. 관점.
- 주어진 부품 패키지 크기에 대해 부품 검색에 대한 개인적인 경험에 따르면 최고의 BJT 트랜지스터는 최고 수준의 약 1/10의 전류 만 구동 할 수 있습니다. MOSFET 트랜지스터. 따라서 MOSFET은 고전류 및 고전력 구동에 탁월합니다.
- 예 : TIP120 NPN BJT Darlington 트랜지스터 는 약
5A 연속 전류, 반면 IRLB8721 N- 채널 로직 레벨 MOSFET 는 동일한 물리적 TO-220 패키지에서 62A 만큼 운전할 수 있습니다.
- 추가적으로 , 이것이 정말 중요합니다! : MOSFET를 병렬로 배치하여 회로의 전류 성능을 높일 수 있습니다. . 예 : 특정 MOSFET이 10A를 구동 할 수 있다면 그중 10 개를 병렬로 배치하면 10A / MOSFET x 10 MOSFET = 100A를 구동 할 수 있습니다. 그러나 BJT 트랜지스터를 병렬로 배치하는 것은 액티브 또는 패시브가 아닌 경우 권장되지 않습니다. (예 : 전력 저항기 사용) BJT 트랜지스터는 본질적으로 다이오드 이므로 병렬로 각 BJT 트랜지스터에 대한 부하 분산 ce는 병렬로 배치 될 때 다이오드처럼 작동합니다. 가장 작은 다이오드 전압 강하가있는 VCE는 Collector에서 Emitter까지 가장 큰 전류를 통과시켜 파괴 할 수 있습니다. 따라서로드 밸런싱 메커니즘을 추가해야합니다. 예 : 작은 저항이지만 거대한 전력, 병렬로 각 BJT 트랜지스터 / 저항 쌍과 직렬로 연결된 전력 저항기. 다시 말하지만 MOSFET에는 이러한 제한이 없습니다. , 따라서 주어진 설계의 전류 제한을 높이기 위해 병렬로 배치하는 데 이상적입니다.
- 아래 인용문과 기타 여러 소스에 따르면 MOSFET은 소형화 및 에칭이 더 쉽습니다. IC (칩)이므로 대부분의 컴퓨터 칩은 MOSFET 기반입니다.
- 올바르게 기억하는 경우 , BJT 트랜지스터는 MOSFET보다 순간적으로 정격 전압을 초과하는 것에 대한 내성이 더 강합니다.
- MOSFET에는 In 및 Natural Body Diode는 때때로 MOSFET의 데이터 시트에 지정되고 등급이 지정됩니다. 이 다이오드는 매우 큰 전류를 자주 처리 할 수 있으며 매우 유용 할 수 있습니다. 예를 들어, 전류를 드레인에서 소스로 전환 할 수있는 N 채널 MOSFET (NMOS)의 경우 바디 다이오드는 소스에서 드레인을 가리키는 반대 방향으로 이동합니다. 따라서 필요할 때이 바디 다이오드를 자유롭게 활용하거나 MOSFET을 다이오드로 직접 사용하십시오.
- 다음은 “에 대한 Google의 빠른 검색입니다. ” mosfet 바디 다이오드 ” 및 ” 모스펫 다이오드 ” 및 간략한 기사 : DigiKey : 본질적인 몸체의 중요성 MOSFET 내부 다이오드 .
- 그러나이 바디 다이오드로 인해 MOSFET이 반대 방향 (N 채널의 경우 소스에서 드레인으로)의 전류를 자연스럽게 차단, 전환 또는 제어 할 수 없습니다. , 또는 P 채널의 경우 드레인에서 소스로) MOSFET으로 AC 전류를 전환하려면 두 개의 MOSFET을 연속적으로 배치하여 다이오드가 함께 작동하여 전류를 적절하게 차단하거나 허용해야합니다. MOSFET을 제어하기 위해 수행 할 수있는 모든 활성 스위칭과 함께 사용할 수 있습니다.
2) 여기에 “마이그레이션하는 몇 가지 경우가 있습니다. ht 여전히 MOSFET 대신 BJT를 선택합니다.
(굵은 체로 표시된보다 적절한 이유는 다소 주관적입니다.)
- 더 높은 스위칭 주파수가 필요합니다.
- 위를 참조하세요.
- (요즘은 MOSFET이 너무 빠르게 전환 될 수 있기 때문에 거의 문제가되지 않습니다.) 실제 고주파 디자인 경험이 많은 사람은 부담없이 들으실 수 있지만 아래 교과서에 따르면 BJT가 더 빠릅니다.
- 연산 증폭기.
- 아래에서 더 인용하는 교과서 에서는 BJT가 여기에 유용하다고 말합니다 (연산 증폭기를 만드는 데 사용됨) (강조 추가됨).
두 트랜지스터 유형은 각각 고유하고 고유 한 장점이 있음을 알 수 있습니다. 바이폴라 기술 는 op 앰프 .
- 아래에서 더 인용하는 교과서 에서는 BJT가 여기에 유용하다고 말합니다 (연산 증폭기를 만드는 데 사용됨) (강조 추가됨).
- [결과는 다를 수 있습니다.] 비용과 가용성에 관심이 많습니다.
- 부품을 선택할 때 때로는 많은 부품이 주어진 설계 목표에 적합하며 BJT는 때때로 더 저렴할 수 있습니다. 그렇다면 사용하십시오. BJT가 MOSFET보다 훨씬 더 길었기 때문에 부품을 구매하는 다소 제한적이고 주관적인 경험에 따르면 BJT는 정말 저렴하고 선택할 수있는 잉여 및 저렴한 옵션이 더 많이 있습니다. 특히 검색 할 때 손으로 쉽게 납땜 할 수있는 구멍 (THT) 부품 .
- 그러나 귀하의 경험은 아마도 귀하가 세계 어디에 있느냐에 따라 다를 수 있습니다 (확실하지 않습니다). . DigiKey와 같은 현대의 평판이 좋은 공급 업체의 현대 검색은 그 반대를 보여주고 MOSFET이 다시 승리합니다. 2020 년 10 월 DigiKey에서 검색하면 37808이 표시됩니다. MOSFET의 결과 , 11537 개가 THT 이고 BJT의 경우 18974 개 결과 , 8849 개가 THT 입니다.
- [훨씬 더- 관련성] MOSFET을 구동하는 데 자주 필요한 게이트 드라이버 IC 및 회로 ( low)는 MOSFET 기반 설계에 비용을 추가 할 수 있습니다.
- 설계의 단순성을 원합니다.
- 모든 BJT는 사실상 ” 논리 수준 “입니다 (실제로는 BJT에 대한 개념이지만 저를 참으십시오), 전압 구동이 아닌 전류 구동이기 때문입니다. 대부분의 경우
V_GS
또는 게이트-소스 전압 ( 10V ~ 12V가 완전히 켜야하는 MOSFET)과 대조됩니다. 3.3V 또는 5V 마이크로 컨트롤러를 사용할 때 이러한 고전압으로 MOSFET 게이트를 구동하는 회로를 만드는 것은 특히 신규 사용자에게 고통 입니다. 냄새 나는 것을 켜기 위해 더 많은 트랜지스터, 푸시 풀 회로 / 하프 -H- 브리지, 차지 펌프, 값 비싼 게이트 드라이버 IC 등이 필요할 수 있습니다. 이것을 BJT와 비교해보십시오. 저항 하나만 있으면 3.3V 마이크로 컨트롤러가 전원을 켤 수 있습니다. 특히 “Darlington BJT 트랜지스터이므로 거대한Hfe
게인 (약 500 ~ 1000 이상)이며 매우 낮은 (< 1 ~ 10mA) 전류로 켤 수 있습니다. - 따라서 단순한 BJT 트랜지스터를 스위치로 사용하는 대신 MOSFET 트랜지스터를 스위치로 올바르게 구동하기 위해 설계가 훨씬 더 복잡해질 수 있습니다. 그런 다음 해결책은 ” 로직 레벨 ” MOSFET : 이는 게이트가 마이크로 컨트롤러 ” 논리 수준 ” (예 : 3.3V 또는 5V) 그러나 문제는 로직 레벨 MOSFET이 여전히 더 드물고 선택할 수있는 옵션이 적고 훨씬 비싸고 상대적으로 말하면 여전히 높은 게이트 커패시턴스를 가질 수 있다는 것입니다. 고속 s를 시도 할 때 극복하기 위해 매혹적인. 즉, 로직 레벨 MOSFET을 사용하더라도 푸시 풀 게이트 드라이버 회로 / 하프 H 브리지 또는 고전류, 고가의 게이트 드라이버 IC를 얻기 위해 더 복잡한 설계로 다시 돌아 가야 할 수 있습니다. 로직 레벨 MOSFET의 고속 스위칭을 활성화합니다.
- 모든 BJT는 사실상 ” 논리 수준 “입니다 (실제로는 BJT에 대한 개념이지만 저를 참으십시오), 전압 구동이 아닌 전류 구동이기 때문입니다. 대부분의 경우
도서 (ISBN-13 : 978-0199339136) Microelectronic Circuits (The Oxford Series in Electrical and Computer Engineering) , 7th Edition, Adel S. Sedra 및 Kenneth C. Smith, ” 부록 G : MOSFET과 BJT 비교 ” ( 여기에서 온라인보기 ), 몇 가지 추가 통찰력을 제공합니다 (강조 추가됨) :
G.4 MOS 및 바이폴라 트랜지스터 결합-BiCMOS 회로
위의 논의에서 BJT가 훨씬 더 높은 트랜스 컨덕턴스의 MOSFET보다 이점이 있음이 분명합니다. (gm) DC 바이어스 전류의 동일한 값에서. 따라서 증폭기 단계 당 더 높은 전압 이득을 실현하는 것 외에도 바이폴라 트랜지스터 증폭기는 MOS 대응 제품에 비해 우수한 고주파 성능을 제공합니다.
반면, MOSFET 게이트의 거의 무한한 입력 저항으로 인해 입력 저항이 매우 높고 입력 저항이 매우 높은 증폭기를 설계 할 수 있습니다. 입력 바이어스 전류가 거의 제로에 가깝습니다. 또한 앞서 언급했듯이 MOSFET은 스위치의 탁월한 구현을 제공합니다. 이는 CMOS 기술을 통해 아날로그 회로 기능을 구현할 수있게 해주었습니다. 바이폴라 트랜지스터로는 불가능합니다.
두 트랜지스터 유형 각각에는 고유하고 고유 한 장점이 있음을 알 수 있습니다. 바이폴라 기술은 매우 높은 품질의 범용 회로 빌딩 블록을 설계하는 데 매우 유용했습니다. 연산 증폭기로. 반면에 CMOS는 매우 높은 패킹 밀도 와 디지털 및 아날로그 회로 모두에 대한 적합성, 대규모 집적 회로 구현을 위해 선택한 기술이되었습니다. 그러나 CMOS 회로의 성능은 설계자가 높은 gm과 우수한 전류 구동 기능을 필요로하는 기능에 사용할 수있는 (동일한 칩에) 바이폴라 트랜지스터를 사용할 수 있다면 개선됩니다. A CMOS 회로와 동일한 칩에 고품질 바이폴라 트랜지스터를 제작할 수있는 기술을 BiCMOS 라고합니다. 이 책의 적절한 위치에서 우리는 흥미롭고 유용한 BiCMOS 회로 블록.
이 대답은 다음을 반복합니다. 현대 통합 회로에서 BJT가 사용됩니까? ts가 MOSFET과 동일한 정도입니까? .
” 부록 G ” 는 ” 예제를 참조 할 수도 있습니다. G.3 “. 이 예에서는 전환 주파수 , f_T
가 15.3만큼 높은 NPN BJT 트랜지스터를 보여줍니다. 1mA의 콜렉터 전류 I_C
인 GHz . 이는 드레인 전류에서 전환 주파수가 9.7GHz 에 불과한 NMOS 트랜지스터 (N 채널 MOSFET)와 대조됩니다. I_D
, 1mA.
설명
- 왜 항상 MOSFET을 사용하고 잊어 버리지 않는 이유 BJT에 대해?
- ‘ 내 답변에 새 섹션을 추가했습니다. 주로 저는 다음과 같이 생각합니다. 1) 사용 편의성 : BJT는 일반적으로 운전하기 훨씬 쉬우 며 특수 게이트 드라이버 나 멋진 푸시 풀 회로가 필요하지 않습니다. ‘ 2) 비용 (이것에 대해서는 확실하지 않지만 요인이 될 수 있음), 3) 가용성 (오늘날 Digikey에서는 BJT보다 더 많은 MOSFET을 사용할 수 있지만 일부 지역에서는 BJT가 주변에 있기 때문에 그 반대가 여전히 사실 일 수 있습니다. 더 이상?-완전히 확실하지 않음). 그래서 제게는 대부분 # 1에 불과합니다. BJT는 대부분 운전하기가 더 쉽습니다.
- @ Quantum0xE7, 제가 ‘ 여기에 게시 한 것 이상으로, 저는 ‘ 정말 확실하지 않은 것 같습니다. 저는 ‘ 자신이 더 많이 알고 싶습니다.
- FET가 더 적은 전류를 필요로하고 우리는 실제로 스위치를 만들려고하기 때문에 FET는 BJT보다 쉽고 빠르게 전환 할 수 있습니다. 이것이 사실이 아닙니까?
- @ Quantum0xE7, 정상 상태의 경우 확실히 사실입니다. MOSFET 게이트를 한 번 충전하고 거기에 유지하면 ‘ 완료됩니다 (그리고 느린 풀업 / 풀다운 저항은 괜찮습니다)! 고속 스위칭의 경우 확실히 사실이 아닙니다. 위의 두 섹션을 참조하세요. 1) MOSFET 섹션 : ” MOSFET는 빠르게 전환할수록 효율성 이득을 잃기 시작합니다. ” 및 2) BJT 섹션 : ” 디자인의 단순성을 원합니다. ” . 참고 :이 경우 ‘ ” 스위치 “를 해석하여 모터, LED, 전압 변환기 및 스위치 모드 전원 공급 장치를 구동하는 데 사용되는 -speed PWM 스위칭.
Answer
입력 전류 (게이트 전류)가 거의없는 FET 장치는 마이크로 컨트롤러에 의해 구동되는 LED에 가장 적합한 선택입니다. 마이크로 컨트롤러는 다이를 통해 많은 전류를 공급할 필요가 없으므로 냉각 상태를 유지합니다 (더 적은 LED 전류는 거의 모두 외부 FET 채널을 통해 구동되는 반면, 예, 일반적인 FET 장치의 Ron은 FET 전반에 걸쳐 낮은 전압 강하를 유지하여 저전력 애플리케이션에 유리한 매우 낮은 것도 사실입니다.
그러나 MOSFET의 게이트에서 노이즈 내성과 관련하여 몇 가지 단점이 있으며, 이는 BJT의 경우가 아닐 수 있습니다. e 채널은 어느 정도까지 진행됩니다. 낮은 Vt (임계 값)로 릴레이 코일을 구동하기 위해 Mosfet을 사용하는 것은 높지는 않지만 여전히 적절합니다. 이 경우 마이크로 컨트롤러가 FET를 구동하는 경우 Vt (임계 값)가 더 높은 FET를 얻을 수 있습니다.
답변
MOSFET는 고전류 요구 사항에 더 견고합니다. 예를 들어 15A 정격 Mosfet은 짧은 기간 동안 60A (예 : IRL530)의 전류를 전달할 수 있습니다. 15A 정격 BJT는 20A 펄스 만 통과 할 수 있습니다. 또한 Mosfets는 다이가 더 작더라도 케이스 저항에 대한 열 접합이 더 좋습니다.
댓글
- 이게 일반적인 이유를 제공 할 수 있습니까? 규칙?