이 두 모델에서 BC 접합이 역 바이어스 된 것으로 간주되는 이유를 이해하는 데 어려움이 있습니다. 내가보기에베이스는 PNP 모델의 극성을 고려할 때 컬렉터 접합보다 높은 전위에있는 것 같습니다.
댓글
- PNP 모델에서 모든 것 은 NPN 모델과 반대입니다. 컬렉터는베이스보다 더 부정적이지만 CB 다이오드는 그 반대입니다.
- @Neil_UK BJT의 2- 다이오드 모드 비유를 살펴 보았는데 더 의미가 있습니다. 컬렉터가베이스보다 음수이기 때문에 전자가 컬렉터에서베이스를 통해 흐르기 시작한다는 점을 명확히하고 싶습니다. 따라서 BC 다이오드가 실제로 역 바이어스 될지라도 양의 전류 흐름은 전자 흐름과 반대이므로 BJT의 회로 모델에서베이스에서 컬렉터로 전류가 흐르는 이유는 무엇입니까? (PNP 트랜지스터에서) 맞습니까? 이해가 되었으면합니다.
- 트랜지스터가 포화 될 때 Vce < 0.2V로 전류가베이스와 컬렉터 사이에서만 흐릅니다. 정상적인 선형 작동에서 Vce > 1V이며베이스와 컬렉터 사이에 누설 전류 만 흐릅니다.
- '는 어렵습니다. 1) 직렬로 연결된 두 개의 연속 다이오드로서의 트랜지스터보다 더 많은 오해의 소지가있는 그림을 상상해보십시오. 2) 트랜지스터를 사용한 트랜지스터 '의 전류 및 전압 그리기 + 배터리 2 개, C와 B, 그리고 B와 E 사이에 다른 하나가 연결되어 있습니다. ' 그들에게는 아무런 문제가 없습니다. 저항계가있는 다이오드를 실제로 찾을 수 있으며 " 작동 모드 " 회로에서 어떤 일이 발생할 수 있습니다. 그러나 이러한 도면은베이스가 일반적인 온도에서 캐리어의 일반적인 열적 브라운 운동 길이보다 훨씬 더 얇다는 사실을 건너 뜁니다.
- (계속) 그 열 운동은베이스를 통과하는 전류를 대부분 C 사이로 이동시킵니다. 및 E, C와 E 사이에 최소한 수백 mV가있는 경우 ' 작은 부분 만 기본 터미널 와이어를 통과합니다. 즉 '는 트랜지스터 증폭의 기초입니다.