Tengo problemas para entender por qué se considera que la unión BC tiene un sesgo inverso en estos dos modelos. A mi modo de ver, la base parece estar en un potencial más alto que la unión del colector dada la polaridad en el modelo PNP.
Comentarios
- En el modelo PNP, todo se invierte con respecto al modelo NPN. El colector es más negativo que la base, pero el diodo CB es al revés.
- @Neil_UK Miré la analogía del modo de dos diodos del BJT y tiene más sentido. Me gustaría aclarar que dado que el colector es más negativo que la base, los electrones comenzarían a fluir a través de la base desde el colector. Por lo tanto, aunque el diodo BC estaría polarizado en sentido inverso, dado que el flujo de corriente positivo es opuesto al flujo de electrones, esa es la razón por la que en los modelos de circuito del BJT, ¿hay corriente fluyendo desde la base hasta el colector? (en transistor PNP) ¿Es así? Espero haber tenido algún sentido.
- La corriente solo fluye entre la base y el colector cuando el transistor está saturado, con un Vce < 0.2 V. En operación lineal normal, Vce > 1 V, y solo fluye una corriente de fuga entre la base y el colector.
- Es ' s difícil de imagina dibujos más engañosos que 1) un transistor como dos diodos conectados espalda con espalda en serie 2) Un dibujo de las corrientes y voltajes del transistor ' s con un transistor + dos baterías, una conectada entre C y B y el otro conectado entre B y E. No ' no tienen nada de malo. Uno realmente puede encontrar los dieodes con un ohmímetro y seguramente algo puede suceder en el circuito " modos de operación ". Pero esos dibujos omiten el hecho de que la base es muy delgada, mucho más delgada que la longitud del movimiento marrón térmico habitual de los portadores a temperaturas habituales.
- (continuación) Ese movimiento térmico hace que la corriente a través de la base vaya principalmente entre C y E, solo una pequeña parte pasa por el cable del terminal de la base si hay ' s al menos unos cientos de mV entre C y E. Eso ' s la base de la amplificación en transistor.