Jai du mal à comprendre pourquoi la jonction BC est considérée comme biaisée inversée dans ces deux modèles. À mon avis, la base semble avoir un potentiel plus élevé que la jonction du collecteur étant donné la polarité dans le modèle PNP.
Commentaires
- Dans le modèle PNP, tout est inversé par rapport au modèle NPN. Le collecteur est plus négatvie que la base, mais la diode CB est linverse.
- @Neil_UK Jai regardé lanalogie du mode à deux diodes du BJT et cela a plus de sens. Je tiens à préciser que puisque le collecteur est plus négatif que la base, les électrons commenceraient à circuler à travers la base à partir du collecteur. Par conséquent, même si la diode BC serait en effet polarisée en inverse, puisque le flux de courant positif est opposé au flux délectrons, cest la raison pour laquelle dans les modèles de circuit du BJT, il y a un courant circulant de la base au collecteur? (en transistor PNP) Cest vrai? Jespère que jai eu du sens.
- Le courant ne circule entre la base et le collecteur que lorsque le transistor est saturé, avec un Vce < 0,2 V. En fonctionnement linéaire normal, Vce > 1 V, et seul un courant de fuite circule entre la base et le collecteur.
- Il ' est difficile à imaginez des dessins plus trompeurs que 1) un transistor sous forme de deux diodes connectées dos à dos en série 2) Un tirage des courants et tensions du transistor ' avec un transistor + deux batteries, une connectée entre C et B et lautre connecté entre B et E. Il ny a ' rien de mal avec eux. On peut vraiment trouver les diodes avec un ohmmètre et sûrement quelque chose peut arriver dans le circuit " de fonctionnement ". Mais ces dessins ignorent le fait que la base est très fine, beaucoup plus mince que la longueur habituelle du mouvement thermique Brown des porteurs aux températures habituelles.
- (suite) Ce mouvement thermique fait passer le courant à travers la base entre C et E, seule une petite partie passe par le fil de la borne de base sil y a ' s au moins quelques centaines de mV entre C et E. Cela ' est le fondement de lamplification en transistor.