i PMOS som Vtp mindre enn 0, fra hva Jeg forstår at hvis vi gir Vg mindre enn Vtp, har den strøm fra kilde til avløp, derimot hvis vi gir Vg mer enn Vtp, er den avskåret.
men i digital krets sto det «når kontrollspenning, VC på porten er null og er dermed mer negativ med hensyn til enten inngangsterminal (kilde) eller utgangsterminal (avløp), er transistoren «PÅ» og fungerer i sin metningsregion som en lukket bryter. inngangsspenning, VIN er positiv og større enn VC-strøm vil strømme fra kildeterminalen til avløpsterminalen, det vil si ID strømmer ut av avløpet og dermed kobler VIN til VOUT. «
slik at det betyr at vi gir Vg er null ikke sant? . Jeg forvirrer PMOS fungerer som nærbryter når den har Vg er null eller lavere enn Vtp ??
Kommentarer
- Bildet som vises har kilden og dreneringen etiketter byttet ut.
Svar
Gatespenningen er relativt til kilden. Så når Vgs er mindre enn * terskelspenningen, kan betydelig strøm strømme fra kilde til drenering (ofte er terskelen spesifisert som noe som 250uA).
I eksempelet ditt der Vg er null, er Vgs -Vin. Så hvis, for eksempel, Vin er + 5V så er Vgs -5V og Rds (forutsatt et MOSFET på logisk nivå) kan være veldig lavt.
* større i størrelse, men negativt i tegnet
Eksempel datablad :
Så hvis Vin er + 5V, vil Rgs (on) være mindre enn 60m \ $ \ Omega \ $ når Vg = 0.
Når den er av (Vg = + 5V), er lekkasjen garantert mindre enn -1uA ved 25 ° C.
Svar
Du er forvirret fordi Vg-spenningen sammenlignet med «jord» (eller den nederste, negative strømforsyningsskinnen) er null, men sammenlignet med kildepinnen er det faktisk negativt få volt (Vgs = -x volt), og en P-kanal MOSFET leder eller slås på når portpinnen er negativt få volt (vanligvis rundt -3V til – 10V).
Teksten nevner porten «spenning» (den riktige betegnelsen her ville være «potensiell»), men den refererer til den som relativt til bakken (eller den negative strømforsyningsskinnen) i stedet for til MOSFETs-kilden elektrode, og det er der all forvirringen kommer fra.
Det er egentlig ikke din feil, men feilen til personen som forklarer det. Det er mulig at forfatteren av skjematikken og den relaterte teksten / forklaringen ikke forstår det godt selv.
Skjemasymbolet ditt for PMOS vippes rundt – pilen skal være koblet sammen på Kildesiden (til venstre).
Det vil hjelpe deg å bruke en NMOS-transistor som et eksempel på å forstå byttehandlingen.
Som du sikkert vet, når portpinnen til en NMOS (N-kanal MOSFET) transistoren er positiv sammenlignet med kildepinnen (også kjent som Vgs eller gate-to-source-spenning), vil transistoren begynne å lede (en strøm vil begynne å strømme fra dreneringspinnen til kildepinnen).
Normalt trenger du noen få volt for Vgs å slå på en MOSFET, ofte rundt 10V og 5V for MOSFET-er på logisk nivå, enda mindre for spesielle typer, men vanligvis aldri mer enn 20V, da det ville skade de fleste MOSFET-porter.
Hvis du slipper spenningen mellom porten og kilde til null (Vgs = 0V), vil ikke transistoren lede, den vil være av.
Nå er det bare å snu polaen du kommer til å forstå hvordan en P-kanal MOSFET fungerer.
Ikke bekymre deg hvis det tar deg noen ganger å fordøye og forstå, det er ikke alltid lett å pakke hodet rundt noen ting, selv om de virker enkle når vi forstår dem.
Kommentarer
- Bare i omvendt polaritetsdiode er det ordnet med kilde til høyre. OP har den tegnet som en lastebryter med kilde til høyre. Uklart som OP spør om.
- @ DKNguyen: Både bokstaven S-symbolet på skjematisk OG teksten sitert i spørsmålet indikerer at dette er en P-kanal MOSFET og at pin-kilden er på venstre. Også, hvis du vet om funksjonen til P-kanal MOSFETs og deres bruk som brytere på den positive siden, vil du se at MOSFET-symbolet er horisontalt reversert.
- Åh, jeg ser hva du får til . Terminaletikettene er feilmerket i forhold til selve symbolet.
- @DKNguyen: Ja. Egentlig er etikettene på de riktige sidene i forhold til kretsen, men symbolet vippes horisontalt, så etikettene er på feil sider av MOSFET.